Designer

• Simulation und Design von Epitaxiestrukturen (Heterostrukturen) für III/V-Halbleiterlaserdioden im MIR-Bereich (GaAs-, InP- oder GaSb-basierende Systeme)
• Entwicklung und Optimierung von Quantenfilmen, Barrieren, Wellenleitern und Dotierungsprofilen mit besonderem Focus auf Brillanz, Effizienz und Zuverlässigkeit
• Einsatz und Weiterentwicklung von Simulations- und Designsoftware (z. B. HAROLD, LUMERICAL, APSYS, MATLAB oder vergleichbare Tools), ggf. Entwicklung eigener Modelle
• Konzeption, Simulation und Weiterentwicklung von Chip- und Heterostrukturdesigns für III/V-Halbleiterlaserdioden auf Basis physikalischer Modelle (Bandstruktur, Ladungsträgerdynamik, Rekombinationsmechanismen, Wärmehaushalt)
• Analyse der physikalischen Zusammenhänge zwischen epitaktischem Aufbau und den optoelektrischen Eigenschaften der Bauteile
• Validierung von Simulationsergebnissen durch enge Zusammenarbeit mit der Prozessentwicklung und Fertigung
• Selbstständige Planung, Durchführung und Entwicklung von Experimenten zur Analyse (LIV-Messungen – cw/gepulst, Nah- und Fernfeldmessung, etc.), sowie Nutzung von Charakterisierungsmethoden wie PL, XRD, TEM, SIMS oder TLM
• Zusammenarbeit mit der Prozessentwicklung und Fertigung zur Überführung neuer Chip- und Epitaxiekonzepte in die Serienfertigung
• Option zur Mitgestaltung und Veröffentlichung wissenschaftlicher Ergebnisse in internen wie externen Fachkreisen

Entwicklungsingenieur/in Simulation & Design – III/V-Laserdioden

Working Student Graphic Design

Webdesigner